MEMORIA RAM
La memoria RAM es uno de los elementos más importantes de un PC. Su escasez puede hacer que incluso el equipo más rápido parezca una tortuga ya que entre sus funciones se encuentra la de servir de almacén para los programas y datos con los que trabajas en cada momento.
RAM es el acrónimo de Random Access Memory, en español memoria de acceso aleatorio.
Sus funciones son las siguientes:
-Disco duro. El disco duro almacena los datos y programas cuando apagas el equipo. Se diferencia de las demás memorias en que incluso sin conexión a la corriente eléctrica no deja de guardar la información.
-Memoria RAM. La memoria RAM, al ser mucho más rápida, aloja las utilidades y datos que ejecutas en un determinado momento. Por ejemplo el Word con el que trabajas o esa página por la que estas navegando. Si no existiera, el procesador se aburriría esperando a que el disco duro le mandara algo.
-Procesador. En su interior encuentras varios niveles de memoria, es lo que denominamos cache, pensada para acelerar el acceso a los datos de la memoria RAM. A mayor proximidad al micro, más rápida pero por desgracia más cara y más pequeña.
Aparte se encuentran los registros del micro que es donde finalmente se ejecutan las operaciones.
Son parámetros fundamentales de este tipo de memoria:
PARÁMETROS FUNDAMENTALES
-Tiempo o Velocidad de Acceso. Es el tiempo necesario para realizar una operación
de lectura/escritura sobre la memoria y puede ser expresado en unidades de tiempo
(segundos) o en términos de frecuencia (hercios).. Cuanto menor tiempo de acceso
tenga la memoria más rápida será. Por ejemplo, una memoria DDR3-1600 puede tener
una velocidad de acceso de 5 nanosegundos.
-Tiempo de latencia: La latencia de la memoria RAM mide el tiempo (en ciclos de
reloj) que tarda la memoria desde que recibe una petición hasta que envia los datos por
los pines de salida. Por ello cuanto menores sean estos números mejor será nuestra
RAM, aunque este dato también es dependiente de la frecuencia a la que trabaje la
memoria.
También cabe decir que como la latencia depende de los ciclos de reloj, cuanto mayor
sea la velocidad de nuestra memoria RAM, más se verá penalizada por una latencia
más alta.
En computación, la latencia de la memoria es el tiempo entre el inicio de la petición de
un dato en memoria hasta que es efectivamente recibido. La latencia es por esto una
medida fundamental de la velocidad de memoria: a menor latencia, más rápida es la
operación de lectura/escritura.
Existen varios tipos de latencias en las memorias, sin embargo, las más importantes
son:
· CAS: indica el tiempo que tarda la memoria en colocarse sobre una columna o
celda.
· RAS: indica el tiempo que tarda la memoria en colocarse sobre una fila.
· ACTIVE: indica el tiempo que tarda la memoria en activar un tablero.
· PRECHARGE: indica el tiempo que tarda la memoria en desactivar un
tablero.
-LATENCIAS PRIMARIAS:
· CAS (tCL o Column Address Strobe): Indica la cantidad de ciclos que se destinará
al intervalo que empieza en el envio de un “comando” de lectura y que finaliza al
momento en la que se puede actuar sobre ese pedido, es decir, la memoria está
constantemente enviando y reciviendo información hacia o desde el procesador y cada
acción de envío de información requiere tiempo el cual esta controlado por esto. La
latencia esta definida desde el principio del CAS hasta su final. Cuanto menor sea el
tiempo de estos en los ciclos, mayor es el rendimiento de la memoria.
Por ejemplo: 5-5-5-15, el primer número esta indicando el valor del CL (5 cíclos).
-LATENCIAS SECUNDARIAS:
Se utilizan para realizar los ajustes “finos” a la memoria, no influyen demasiado en el
rendimiento final, pero juegan su papel importante en la estabilidad de la misma.
· tRC (Row Cycle Time): Determina el número mínimo de ciclos de reloj que una fila
de memoria necesita para completar un ciclo completo, desde la activación de la fila a
la precarga de la fila activa. No hay mucho que decir, actua como medida de seguridad
par que una fila no se precargue demasiado pronto y se corrompan los datos. Se
calcula con la formula:
tRC = tRAS + tRP
Sobre las latencias:
Es frecuente caracterizar la memoria, además de por la velocidad en MHz, por la latencia. Se
suelen dar cuatro valores (tCAS, tRCD, tRP y tRAS), agrupados tal que así: CL7-7-7-20. El
valor más representativo para cuantificar la latencia es el primero (CL). Generalmente, se
puede pensar que un módulo con menor CL será mejor que otro, aunque eso solo es cierto en
parte, y para una misma velocidad.
Esta latencia se da en ciclos de reloj, pero la verdadera medida se da en nanosegundos (ns),
y para calcular ese valor se usa la fórmula: (CAS/Frecuencia (MHz))x1.000=Latencia(ns).
Por ejemplo, para 2.133 MHz, con una frecuencia de reloj real sin multiplicar por dos de
1.066 MHz, una latencia de CL9 ciclos de reloj se traduce en 8,4 ns. Para 1.333 MHz
efectivos, con una frecuencia de 667 MHz una latencia de CL7 se traduce en 10,5 ns. Así
pues, la latencia hay que ponderarla en su contexto y para cada frecuencia.

En el caso de los microprocesadores, estos integran de 1 a 3 tipos de memoria caché denominadas L1, L2 y L3, que significan (“Level X“) ó traducido es nivel 1, nivel 2 y nivel 3.
-Memoria L1: se encuentra integrada dentro de los circuitos del microprocesador y eso la hace más cara y más complicado en el diseño, pero también mucho más eficiente por su cercanía al microprocesador, ya que funciona a la misma velocidad que él. Esta a su vez se subdivide en 2 partes.
L1 DC: (“Level 1 date cache“): se encarga de almacenar datos usados frecuentemente y cuando sea necesario volver a utilizarlos, inmediatamente los utiliza, por lo que se agilizan los procesos.
L1 IC: (“Level 1 instruction cache“): se encarga de almacenar instrucciones usadas frecuentemente y cuando sea necesario volver a utilizarlas, inmediatamente las recupera, por lo que se agilizan los procesos.
-Memoria L2: esta anteriormente se encontraba en tarjetas de memoria, para ser insertada en una ranura especial de la tarjeta principal (Motherboard) y funciona a la velocidad de trabajo de la misma. Actualmente la memoria L2 viene integrada en el microprocesador, se encarga de almacenar datos de uso frecuente y agilizar los procesos; determina por mucho si un microprocesador es la versión completa ó un modelo austero. Pueden contar con una capacidad de almacenamiento Caché de 8 MB, 9 MB en procesadores AMD® e Intel® y hasta 12 MB en procesadores Intel®.
-Memoria L3: esta memoria es un tercer nivel que utilizaron primero los procesadores de la firma AMD® y posteriormente Intel®. Con este nivel de memoria se agiliza el acceso a datos e instrucciones que no fueron localizadas en L1 ó L2. Si no se encuentra el dato en ninguna de las 3, entonces se accederá a buscarlo en la memoria RAM. Pueden contar con una capacidad de almacenamiento Caché de hasta 8 Mb y 9 Mb sumando L2+L3 en el caso de la nomenclatura AMD®.
Memoria ROM
de lectura/escritura sobre la memoria y puede ser expresado en unidades de tiempo
(segundos) o en términos de frecuencia (hercios).. Cuanto menor tiempo de acceso
tenga la memoria más rápida será. Por ejemplo, una memoria DDR3-1600 puede tener
una velocidad de acceso de 5 nanosegundos.
-Tiempo de latencia: La latencia de la memoria RAM mide el tiempo (en ciclos de
reloj) que tarda la memoria desde que recibe una petición hasta que envia los datos por
los pines de salida. Por ello cuanto menores sean estos números mejor será nuestra
RAM, aunque este dato también es dependiente de la frecuencia a la que trabaje la
memoria.
También cabe decir que como la latencia depende de los ciclos de reloj, cuanto mayor
sea la velocidad de nuestra memoria RAM, más se verá penalizada por una latencia
más alta.
En computación, la latencia de la memoria es el tiempo entre el inicio de la petición de
un dato en memoria hasta que es efectivamente recibido. La latencia es por esto una
medida fundamental de la velocidad de memoria: a menor latencia, más rápida es la
operación de lectura/escritura.
Existen varios tipos de latencias en las memorias, sin embargo, las más importantes
son:
· CAS: indica el tiempo que tarda la memoria en colocarse sobre una columna o
celda.
· RAS: indica el tiempo que tarda la memoria en colocarse sobre una fila.
· ACTIVE: indica el tiempo que tarda la memoria en activar un tablero.
· PRECHARGE: indica el tiempo que tarda la memoria en desactivar un
tablero.
-LATENCIAS PRIMARIAS:
· CAS (tCL o Column Address Strobe): Indica la cantidad de ciclos que se destinará
al intervalo que empieza en el envio de un “comando” de lectura y que finaliza al
momento en la que se puede actuar sobre ese pedido, es decir, la memoria está
constantemente enviando y reciviendo información hacia o desde el procesador y cada
acción de envío de información requiere tiempo el cual esta controlado por esto. La
latencia esta definida desde el principio del CAS hasta su final. Cuanto menor sea el
tiempo de estos en los ciclos, mayor es el rendimiento de la memoria.
Por ejemplo: 5-5-5-15, el primer número esta indicando el valor del CL (5 cíclos).
-LATENCIAS SECUNDARIAS:
Se utilizan para realizar los ajustes “finos” a la memoria, no influyen demasiado en el
rendimiento final, pero juegan su papel importante en la estabilidad de la misma.
· tRC (Row Cycle Time): Determina el número mínimo de ciclos de reloj que una fila
de memoria necesita para completar un ciclo completo, desde la activación de la fila a
la precarga de la fila activa. No hay mucho que decir, actua como medida de seguridad
par que una fila no se precargue demasiado pronto y se corrompan los datos. Se
calcula con la formula:
tRC = tRAS + tRP
Sobre las latencias:
Es frecuente caracterizar la memoria, además de por la velocidad en MHz, por la latencia. Se
suelen dar cuatro valores (tCAS, tRCD, tRP y tRAS), agrupados tal que así: CL7-7-7-20. El
valor más representativo para cuantificar la latencia es el primero (CL). Generalmente, se
puede pensar que un módulo con menor CL será mejor que otro, aunque eso solo es cierto en
parte, y para una misma velocidad.
Esta latencia se da en ciclos de reloj, pero la verdadera medida se da en nanosegundos (ns),
y para calcular ese valor se usa la fórmula: (CAS/Frecuencia (MHz))x1.000=Latencia(ns).
Por ejemplo, para 2.133 MHz, con una frecuencia de reloj real sin multiplicar por dos de
1.066 MHz, una latencia de CL9 ciclos de reloj se traduce en 8,4 ns. Para 1.333 MHz
efectivos, con una frecuencia de 667 MHz una latencia de CL7 se traduce en 10,5 ns. Así
pues, la latencia hay que ponderarla en su contexto y para cada frecuencia.
NIVELES DE MEMORIA CACHÉ DEL MICROPROCESADOR:
En el caso de los microprocesadores, estos integran de 1 a 3 tipos de memoria caché denominadas L1, L2 y L3, que significan (“Level X“) ó traducido es nivel 1, nivel 2 y nivel 3.
-Memoria L1: se encuentra integrada dentro de los circuitos del microprocesador y eso la hace más cara y más complicado en el diseño, pero también mucho más eficiente por su cercanía al microprocesador, ya que funciona a la misma velocidad que él. Esta a su vez se subdivide en 2 partes.
L1 DC: (“Level 1 date cache“): se encarga de almacenar datos usados frecuentemente y cuando sea necesario volver a utilizarlos, inmediatamente los utiliza, por lo que se agilizan los procesos.
L1 IC: (“Level 1 instruction cache“): se encarga de almacenar instrucciones usadas frecuentemente y cuando sea necesario volver a utilizarlas, inmediatamente las recupera, por lo que se agilizan los procesos.
-Memoria L2: esta anteriormente se encontraba en tarjetas de memoria, para ser insertada en una ranura especial de la tarjeta principal (Motherboard) y funciona a la velocidad de trabajo de la misma. Actualmente la memoria L2 viene integrada en el microprocesador, se encarga de almacenar datos de uso frecuente y agilizar los procesos; determina por mucho si un microprocesador es la versión completa ó un modelo austero. Pueden contar con una capacidad de almacenamiento Caché de 8 MB, 9 MB en procesadores AMD® e Intel® y hasta 12 MB en procesadores Intel®.
-Memoria L3: esta memoria es un tercer nivel que utilizaron primero los procesadores de la firma AMD® y posteriormente Intel®. Con este nivel de memoria se agiliza el acceso a datos e instrucciones que no fueron localizadas en L1 ó L2. Si no se encuentra el dato en ninguna de las 3, entonces se accederá a buscarlo en la memoria RAM. Pueden contar con una capacidad de almacenamiento Caché de hasta 8 Mb y 9 Mb sumando L2+L3 en el caso de la nomenclatura AMD®.
MEMORIA ROM-BIOS
Memoria ROM
Además de la memoria RAM, existe la Memoria ROM (Read Only Memory) o memoria de solo lectura).Es un chip de memoria situado en la placa base que almacena los datos de manera permanente, sin que puedan se modificados aunque se apague el ordenador
La memoria ROM contiene pequeños programas, imprescindibles para el correcto funcionamiento del ordenador, y vienen cargados de fábrica.
Se utiliza para almacenar la BIOS (Basic Output System: Sistema Básico de entrada y Salida).
LA BIOS (Basic Output System)
Memoria BIOS
La memoria ROM contiene pequeños programas, imprescindibles para el correcto funcionamiento del ordenador, y vienen cargados de fábrica.
Se utiliza para almacenar la BIOS (Basic Output System: Sistema Básico de entrada y Salida).
LA BIOS (Basic Output System)
Memoria BIOS
Es un software que se carga nada más encender el ordenador y que contiene rutinas esenciales de un PC, enlazándolo con el sistema operativo.
Determina lo que el ordenador podría hacer sin tener acceso a programas almacenados en un disco duro o disquete.
La Flash BIOS es un tipo especial de EEPROM (Electrical Erasable Programable ROM: memoria de sólo lectura programable y borrable eléctricamente), que puede conservar su contenido sin suministro de energía, y que puede ser grabada y borrada en bloques –en vez de byte a byte- por lo que su software se puede actualizar mucho más fácilmente.
RAM-CMOS
CMOS: proviene de las siglas de ("Complementary Metal Oxide Semiconductor") ó semiconductor complementario óxido-metálico. Es el tipo de material con el que está basada la fabricación de un circuito especial llamado del mismo nombre "CMOS", el cuál tiene la característica de consumir un nivel muy bajo de energía eléctrica cuando está en reposo. En este material esta basada la construcción de la memoria ROM.
CARACTERÍSTICAS QUE TIENE LA RAM RESPECTO A LA GIGABYTE H81M-S1
1. 2 x 1.5V DDR3 DIMM que admiten hasta 16 GB de memoria del sistema
2. Debido a una limitación del sistema operativo Windows de 32 bits, cuando hay instalados más de 4 GB de memoria física, el tamaño real de la memoria que muestra el sistema operativo puede ser menor que el tamaño de la memoria física instalada.
3. Arquitectura de memoria Dual Channel
4. Soporta módulos de memoria DDR3 1600/1333 MHz
5. Soporte para módulos de memoria no ECC
6. Soporte para módulos de memoria Extreme Memory Profile (XMP